美光宣布HBM4实现2.8TB/s带宽并启动客户送样
美光科技在其2025年第四季度财报电话会议上宣布，已开始向客户送样新一代HBM4内存，并声称其具备行业领先的性能与能效。
美光首席执行官Sanjay Mehrotra表示，该模块带宽超过2.8TB/s，引脚速度高于11Gbps，显著超越JEDEC HBM4标准的2TB/s带宽与8Gbps引脚速度基准。
行业领先的性能
Mehrotra向投资者强调：“美光12层堆叠HBM4仍按计划支持客户平台升级，即使HBM4对带宽与引脚速度的要求已进一步提高。”他补充道，公司的方案通过1-gamma DRAM、自主研发的CMOS基板与封装创新，实现了“行业领先的性能与最佳能效”。
HBM4E定制化布局
美光同时确认了HBM4E的开发计划，将在基础设计上扩展，支持客户对逻辑芯片进行定制。Mehrotra指出：“对于HBM4E，美光将提供标准产品以及基板逻辑芯片定制选项。定制化需与客户紧密合作，我们预期定制化HBM4E将比标准版本带来更高的毛利率。”
该技术与台积电合作开发，将允许英伟达、AMD等主要客户定制内存堆栈，以优化延迟与数据包路由。这标志着HBM首次采用定制基板，可能改变加速器的设计与差异化方式。
市场前景与竞争态势
2025年1月，美光宣布计划在价值1000亿美元的HBM市场中争取更大份额。该公司最新财报显示，高带宽内存季度收入接近20亿美元，年化达80亿美元。随着三星与SK海力士持续推进HBM4研发，美光在原始带宽指标上已确立领先地位。
Mehrotra在财报总结中重申公司战略：“美光以创纪录的第四季度业绩结束这一财年，彰显了我们在技术、产品与运营执行上的领导力。”