芯片制造商警告：DRAM与SSD短缺危机迫在眉睫

芯片制造商警告，由于云服务提供商的需求超过供应，DRAM、NAND以及可能的HBM内存芯片将出现短缺。特朗普政府近期禁止中国工厂制造这些组件的禁令加剧了这一问题。

最大的组件制造商三星上周在韩国媒体宣布，将把位于韩国平泽和华城的工厂重点转向DRAM芯片的生产，而牺牲NAND产能，这些工厂此前同时生产两种组件。

给出的理由是RAM客户需求最高。DRAM需求的激增源于服务器需要大量内存来加载人工智能（AI）模型，这些模型的大小（通常达数十GB）远超传统Web应用。而这仅仅是为了满足推理需求——即企业使用预训练AI。

DRAM制造的压力将影响专为AI训练设计的GPU内部HBM内存。两者使用相同的电路——它们在同一生产线上刻蚀。区别在于它们在通信总线上的组装方式。HBM总线非常宽，因为它设计为直接与计算芯片的引脚接口，而DDR5芯片的总线较小，以适应芯片组后方的一部分连接。

DDR5价格上涨60%，2026年底或达100%

目前服务器对更多内存的需求如此之大，以至于本月批发市场上DDR5 DRAM组件的价格已上涨60%。价格由制造商根据需求在每月底设定。然而不同寻常的是，三星已将最新价格的发布推迟了两周以评估形势。

据路透社引述内存批发商Fusion Worldwide负责人Tobey Gonnerman的说法：“大多数服务器制造商和数据中心运营商现在必须接受他们将无法按时获得内存组件，而且优先获取库存的价格已经……极其高昂。”

32GB DDR5芯片的交易价格为239美元，而9月底为149美元。16GB芯片现价135美元，64GB芯片为1,194美元。

一个特殊点是，三星及其竞争对手SK海力士最近都升级了生产线，以更精细的工艺刻蚀内存——三星为1c世代（11至12纳米），SK海力士为1b世代（12至13纳米）。问题在于这些新工艺导致了大量生产故障。在三星，晶圆上刻蚀的DRAM电路只有50-70%可用，而通常为80%。

另一个加剧因素是英伟达最近宣布，计划到2026年底在其用于推理的GPU上仅使用LPDDR5内存。这种内存比普通DDR5能效更高，意味着英伟达的GPU功耗更低。但LPDDR5的制造也更复杂。据路透社引述的Gonnerman说法，LPDDR5的广泛使用意味着服务器内存价格将翻倍。

分析师认为，DRAM组件价格在2027年中之前不太可能稳定。

三星和SK海力士拆除NAND生产线以安装DRAM生产线的事实，将导致从2025年底到2026年底出现SSD短缺。

首先拉响警报的是SSD制造商群联电子，其在本月初发布的最新财务报告中提到。据其CEO潘健成称，1太比特TLC NAND芯片（制造1TB需要八颗）目前在批发市场的交易价格为10.70美元，而今年夏季为4.80美元。群联电子将在2026年生产的所有SSD均已售出，价格将持续上涨至2027年。

竞争对手SanDisk也宣布，其所有NAND芯片供应商在10月至11月间将价格提高了50%。SanDisk还指出，他们不得不异常等待15天才能获得更新的月度价格。

分析师表示，SSD生产不仅可能因三星减产而受损，还必须应对来自AI基础设施提供商日益增长的需求，这些提供商现在更倾向于使用SSD而非HDD，以便从大型语言模型（LLM）中更快加载数十GB的RAM。

因此，将NAND电路组装成芯片后再转售给SSD制造商的Transcend、Innodisk和Apacer Technology这三家公司，刚刚公布了前所未有的财务业绩——销售额在一年内分别增长了27%、64%和70%。

为应对此次突然短缺，服务器和PC制造商联想告诉彭博社，他们正在囤积DRAM和NAND组件，以供应计划在2026年底前制造的所有机器。媒体报道称其竞争对手宏碁已派遣代表团直接从三星工厂购买组件，绕过了供应链中通常的批发商。