芯片制造商预警DRAM与SSD短缺危机,AI需求引爆内存市场

芯片制造商警告DRAM和NAND内存芯片即将面临短缺,因云服务商对AI基础设施的过度订购导致供不应求。价格已暴涨60%,三星产线转向DRAM导致SSD短缺,此状况可能持续至2027年。

芯片制造商警告DRAM与SSD即将短缺

超大规模云服务商和服务器制造商正在为其AI基础设施订购过多内存组件,超出市场产能。导致价格飙升,短缺可能持续至2027年。

供需失衡加剧

芯片制造商警告,由于云服务商需求超过供应,DRAM、NAND以及可能的HBM内存芯片将出现短缺。特朗普政府近期禁止中国工厂生产这些组件,使问题更加复杂。

三星调整产线专注DRAM

最大组件制造商三星上周在韩国媒体宣布,将把平泽和华城工厂的生产重点从NAND转向DRAM。原因是客户对RAM的需求最高。AI模型需要大量内存(通常达数十GB),远超传统Web应用,仅推理需求就推动DRAM需求激增。

DRAM短缺影响HBM内存

DRAM生产压力将影响用于AI训练的GPU内部HBM内存。两者使用相同电路,蚀刻在同一产线,区别在于组装方式:HBM总线更宽,直接连接计算芯片引脚;DDR5芯片总线较小,部分连接位于芯片组后方。

价格飙升与供应延迟

  • DDR5组件批发价本月上涨60%
  • 32GB DDR5芯片现价239美元(9月底为149美元)
  • 三星罕见推迟半月公布价格以评估形势
  • 批发商Fusion Worldwide负责人表示:服务器厂商需接受延迟交货,优先库存价格已"极端"

新工艺良率问题

三星和SK海力士近期升级产线至更精密工艺(三星1c代11-12纳米,SK海力士1b代12-13纳米),但新工艺良率仅50-70%(通常为80%)。

英伟达转向LPDDR5加剧压力

英伟达计划2026年底推理GPU全面采用LPDDR5内存。虽更节能,但制造更复杂,据估计可能使服务器内存价格翻倍。分析师预测DRAM价格在2027年中前难以稳定。

SSD短缺接踵而至

三星和SK海力士拆除NAND产线转产DRAM,将导致2025年底至2026年底SSD短缺:

  • 1Tb TLC NAND芯片现价10.70美元(夏季为4.80美元)
  • Phison公司2026年全系SSD已售罄
  • SanDisk供应商10-11月涨价50%
  • AI基础设施商更倾向SSD而非HDD以快速加载LLM数据

供应链连锁反应

  • NAND组装商Transcend、Innodisk、Apacer年销售额分别增长27%、64%、70%
  • 联想正囤积DRAM和NAND组件以确保2026年前生产需求
  • 宏碁派出代表团直接向三星工厂采购,绕过传统批发商
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